BSM75GAL120DN2
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:6800
- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Half Bridge Module
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.5 V
- 在25 C的连续集电极电流 :105 A
- 栅极—射极漏泄电流 :400 nA
- 功率耗散 :625 W
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 封装 / 箱体 :Half Bridge GAL 1
- 栅极/发射极最大电压 :20 V
- 安装风格 :Screw
- 工厂包装数量 :500
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