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BSM50GD120DN2G

BSM50GD120DN2G

参考价格:暂无参考价搜索次数:0现货供应商:0 家现货库存总量:0
  • 制造商 :Infineon
  • 产品种类 :IGBT 模块
  • 产品 :IGBT Silicon Modules
  • 配置 :Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
  • 集电极—射极饱和电压 :2.5 V
  • 在25 C的连续集电极电流 :78 A
  • 栅极—射极漏泄电流 :200 nA
BSM50GD120DN2G(PDF下载)
  • 功率耗散 :400 W
  • 最大工作温度 :+ 150 C
  • 封装 / 箱体 :EconoPACK 3A
  • 栅极/发射极最大电压 :20 V
  • 安装风格 :Screw
  • 工厂包装数量 :500
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序号 日期 搜索量 搜索量变化 搜索量变化幅度
1 2024-02-19-2024-02-25 11
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