BSM25GP120
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- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Array 7
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1600 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.55 V
- 在25 C的连续集电极电流 :45 A
- 栅极—射极漏泄电流 :300 nA
- 功率耗散 :230 W
- 最大工作温度 :+ 125 C
- 封装 / 箱体 :EconoPIM2
- 栅极/发射极最大电压 :+/- 20 V
- 最小工作温度 :- 40 C
- 安装风格 :Screw
- 工厂包装数量 :500
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-02-26-2024-03-03 | 1 |
0
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0.00%
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| 2 | 2024-01-29-2024-02-04 | 1 |
0
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0.00%
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| 3 | 2023-09-18-2023-09-24 | 1 |
0
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0.00%
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| 4 | 2023-09-11-2023-09-17 | 1 |
-3
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-75.00%
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| 5 | 2023-09-04-2023-09-10 | 4 |
1
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33.33%
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| 6 | 2023-08-28-2023-09-03 | 3 |
1
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50.00%
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| 7 | 2023-08-21-2023-08-27 | 2 |
-2
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-50.00%
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| 8 | 2023-08-14-2023-08-20 | 4 |
2
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100.00%
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| 9 | 2023-08-07-2023-08-13 | 2 |
0
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0.00%
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| 10 | 2023-07-31-2023-08-06 | 1 |
0
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0.00%
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| 11 | 2023-07-24-2023-07-30 | 1 |
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| 12 | 2023-05-29-2023-06-04 | 1 |
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| 13 | 2023-04-10-2023-04-16 | 1 |
0
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| 14 | 2023-01-16-2023-01-22 | 1 |
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