BSM25GD120DLCE3224
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- 制造商 :Infineon
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Hex
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.1 V
- 在25 C的连续集电极电流 :50 A
- 栅极—射极漏泄电流 :400 nA
- 功率耗散 :200 W
- 最大工作温度 :+ 125 C
- 封装 / 箱体 :EconoPACK 2A
- 封装 :Reel
- 栅极/发射极最大电压 :+/- 20 V
- 最小工作温度 :- 40 C
- 安装风格 :Screw
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-07-01-2024-07-07 | 2 |
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| 2 | 2024-03-18-2024-03-24 | 1 |
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| 3 | 2024-01-15-2024-01-21 | 1 |
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| 4 | 2024-01-08-2024-01-14 | 1 |
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| 5 | 2023-12-18-2023-12-24 | 1 |
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| 6 | 2023-07-31-2023-08-06 | 1 |
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| 7 | 2023-05-29-2023-06-04 | 2 |
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| 8 | 2023-05-22-2023-05-28 | 1 |
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| 9 | 2023-04-10-2023-04-16 | 1 |
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| 10 | 2023-03-27-2023-04-02 | 1 |
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