BSM150GB120DN2
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:50
- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Half Bridge Module
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.5 V
- 在25 C的连续集电极电流 :210 A
- 栅极—射极漏泄电流 :320 nA
- 功率耗散 :1.25 KW
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 封装 / 箱体 :Half Bridge2
- 栅极/发射极最大电压 :20 V
- 安装风格 :Screw
- 工厂包装数量 :500
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-08-05-2024-08-11 | 1 |
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| 2 | 2024-07-01-2024-07-07 | 2 |
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-33.33%
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| 3 | 2024-06-24-2024-06-30 | 3 |
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| 4 | 2024-04-15-2024-04-21 | 1 |
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