BSM100GB120DN2K
参考价格:0.0000搜索次数:0现货供应商:1 家现货库存总量:40
- 制造商 :Infineon
- 产品种类 :IGBT 模块
- 产品 :IGBT Silicon Modules
- 配置 :Half Bridge Module
- 集电极—发射极最大电压 VCEO :1200 V
- 集电极—射极饱和电压 :2.5 V
- 在25 C的连续集电极电流 :145 A
- 栅极—射极漏泄电流 :400 nA
- 功率耗散 :700 W
- 最大工作温度 :+ 150 C
- 封装 / 箱体 :Half Bridge1
- 栅极/发射极最大电压 :20 V
- 安装风格 :Screw
- 工厂包装数量 :500
更多产品属性
综合指数
周搜索指数
| 序号 | 日期 | 搜索量 | 搜索量变化 | 搜索量变化幅度 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 2024-04-08-2024-04-14 | 1 |
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| 2 | 2024-01-15-2024-01-21 | 1 |
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| 3 | 2024-01-08-2024-01-14 | 1 |
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| 4 | 2024-01-01-2024-01-07 | 1 |
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| 5 | 2023-12-25-2023-12-31 | 1 |
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| 7 | 2023-07-03-2023-07-09 | 2 |
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| 8 | 2023-05-15-2023-05-21 | 1 |
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| 9 | 2023-04-03-2023-04-09 | 1 |
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| 10 | 2023-02-13-2023-02-19 | 1 |
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| 11 | 2023-02-06-2023-02-12 | 1 |
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