APTM100H35FTG
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- 标准包装 :1
- 类别 :半导体模块
- 家庭 :FET
- 系列 :-
- FET 型 :4 N 通道（半桥）
- FET 特点 :标准型
- 漏极至源极电压(Vdss) :1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C :22A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C :420 毫欧 @ 11A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大） :5V @ 2.5mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs :186nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds :5200pF @ 25V
- 功率 - 最大 :390W
- 安装类型 :底座安装
- 封装/外壳 :SP4
- 供应商设备封装 :SP4
- 包装 :散装
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