CM100DY-12H
IGBT- 封装:模块
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
更新日期:2024-04-01

CM100DY-12H 供应商
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全新原装
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苏州
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日本三菱
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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日本三菱
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全新原装
23+ -
5000
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上海市
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仓库现货
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日本三菱
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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仓库现货
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MITSUBISHI
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标准封装
24+ -
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苏州
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MITSUBIS
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模块
23+ -
15000
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上海市
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新批号 -
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上海市
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mitsubishi
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模块
NEW -
3600
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厦门
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CM100DY-12H 中文资料属性参数
- 标准包装:3
- 类别:半导体模块
- 家庭:IGBT
- 系列:IGBTMOD™
- IGBT 类型:-
- 配置:半桥
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):2.8V @ 15V,100A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100A
- 电流 - 集电极截止(最大):1mA
- Vce 时的输入电容 (Cies):10nF @ 10V
- 功率 - 最大:400W
- 输入:标准型
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商设备封装:模块
- 其它名称:835-1077CM100DY-12H-ND
CM100DY-12H 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
![]() |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
4 Pages页,48K | 查看 |
![]() |
Dual IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts |
4 Pages页,48K | 查看 |
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