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IGBT 阵列
更新时间:2024-01-27 15:30IGBT 阵列简介
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)阵列是由多个IGBT元件集成在一起的半导体器件。IGBT是一种复合型功率半导体器件,结合了MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高速控制特性和双极型晶体管(BJT)的大电流驱动能力。这种器件广泛用于电力电子设备中,特别是需要高效、高频率开关操作的场合。
功能特点:
1. 高电压、大电流:IGBT能够处理相对较高的电压和较大的电流,适合于大功率应用。
2. 快速开关:与传统的双极型晶体管相比,IGBT具有更快的开关速度,降低了开关损耗。
3. 低饱和压降:在导通状态下,IGBT的压降较低,从而提高了效率。
4. 易于驱动:使用电压驱动,控制电路简单,与MOSFET类似。
5. 良好的热稳定性:IGBT阵列通常配备有良好的散热设计,以确保在大功率运行时的稳定性。
应用场景:
1. 电机驱动:在电动汽车、工业电机控制等领域,IGBT阵列用于转换和控制电能以驱动电机。
2. 逆变器:在太阳能发电系统和UPS(不间断电源)中,IGBT阵列用于将直流电转换为交流电。
3. 电源转换:在各种电源适配器、充电器和开关电源中,IGBT用于高效能的电压转换。
4. 不间断电源系统:IGBT阵列有助于在电网故障时提供稳定电源。
5. 风电发电:在风力发电机的变流器中,IGBT阵列用于功率调节。
包含种类:
IGBT阵列可以由不同数量的IGBT单元组成,每单元可能有不同的额定电压和电流规格。这些单元可能按照不同的拓扑结构排列,如并联或串联,以满足不同应用需求。例如,可以有4个、8个或更多IGBT元件组成的阵列,并且可能还包括保护元件如二极管,以实现更复杂的电路功能。
功能特点:
1. 高电压、大电流:IGBT能够处理相对较高的电压和较大的电流,适合于大功率应用。
2. 快速开关:与传统的双极型晶体管相比,IGBT具有更快的开关速度,降低了开关损耗。
3. 低饱和压降:在导通状态下,IGBT的压降较低,从而提高了效率。
4. 易于驱动:使用电压驱动,控制电路简单,与MOSFET类似。
5. 良好的热稳定性:IGBT阵列通常配备有良好的散热设计,以确保在大功率运行时的稳定性。
应用场景:
1. 电机驱动:在电动汽车、工业电机控制等领域,IGBT阵列用于转换和控制电能以驱动电机。
2. 逆变器:在太阳能发电系统和UPS(不间断电源)中,IGBT阵列用于将直流电转换为交流电。
3. 电源转换:在各种电源适配器、充电器和开关电源中,IGBT用于高效能的电压转换。
4. 不间断电源系统:IGBT阵列有助于在电网故障时提供稳定电源。
5. 风电发电:在风力发电机的变流器中,IGBT阵列用于功率调节。
包含种类:
IGBT阵列可以由不同数量的IGBT单元组成,每单元可能有不同的额定电压和电流规格。这些单元可能按照不同的拓扑结构排列,如并联或串联,以满足不同应用需求。例如,可以有4个、8个或更多IGBT元件组成的阵列,并且可能还包括保护元件如二极管,以实现更复杂的电路功能。
IGBT 阵列热门型号更多
器件图 | 型号 | 制造商 | 封装 | 描述 | |
---|---|---|---|---|---|
MMIX4B20N300 | - |
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD |
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MMIX4G20N250 | - |
IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD |
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MMIX4B22N300 | - |
IGBT TRANS 3000V 38A |
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IXA20PG1200DHG-TRR | - |
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD |
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IXA40RG1200DHG-TRR | - |
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD |
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IXA20PG1200DHG-TUB | - |
IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD |
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IXA30PG1200DHG-TRR | - |
IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD |
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IXA40RG1200DHG-TUB | - |
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD |
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IXA40PG1200DHG-TUB | - |
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD |
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IXA40PG1200DHG-TRR | - |
IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD |