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闪存

更新时间: 2024-12-13 00:00:03

闪存简介

闪存(Flash Memory)是一种非易失性存储器,它能够在断电后仍然保持数据,是一种常见的电子设备存储解决方案。闪存的主要特点是读取速度快、功耗低、体积小、可重复擦写,并且耐用性较高。根据不同的技术类型和用途,闪存可以分为以下几种主要类型:
1. NAND型闪存:这是最常见的闪存类型,主要用于大容量存储,如固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器和SD卡等。NAND闪存以其高密度和快速的读取速度而闻名,但写入和擦除速度相对较慢。
2. NOR型闪存:NOR型闪存提供直接执行代码的能力,因此常用于嵌入式系统和微控制器中作为启动代码或操作系统存储。它的读取速度较快,但容量和密度通常比NAND闪存要低。
3. SL-C (Single-Level Cell):单层单元闪存,每个存储单元可以存储1位数据。
4. MLC (Multi-Level Cell):多层单元闪存,每个存储单元可以存储2位数据,提高了存储密度但降低了数据写入和擦除的可靠性。
5. TLC (Triple-Level Cell):三层单元闪存,每个存储单元可以存储3位数据,进一步增加了存储密度,但写入速度和耐久性更差。
6.QLC (Quad-Level Cell):四层单元闪存,每个存储单元可以存储4位数据,提供更高的存储密度,但性能和耐用性会受到影响。
闪存的应用场景非常广泛,包括但不限于:
- 个人计算机和服务器的固态硬盘
- 手机和平板电脑的内部存储
- 数码相机和摄像机的存储卡
- USB闪存驱动器
- 移动设备的eMMC和UFS存储
- 工业控制和物联网设备的嵌入式存储
- 汽车电子系统中的数据存储
每种类型的闪存都有其特定的优势和应用领域,用户可以根据需求选择合适的类型。

闪存热门型号更多

器件图 型号 制造商 封装 描述 PDF
00108055 00108055 SANDISK

00108056 00108056 SANDISK

00108057 00108057 SANDISK

180804 180804 TAKEMS

BS128G1-CZ-13 BS128G1-CZ-13 -

BS256G1-CZ-13 BS256G1-CZ-13 -

MSACM2N MSACM2N Sony

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上海德懿电子科技有限公司

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型号 品牌 封装/批号 数量 说明
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314

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TI

/ 21+

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IHLP4040DZERR19M01

Vishay

SMD / 21+

2000

原装

AON7423

AOS

QFN / 20+

20000

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93LC66B-I/SN

MICROCIHP

/ 21+

500

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Littelfuse

SMD / 21+

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