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BLF6G22LS-75,112

NXP Semiconductors RF FET
  • 封装：SOT-502B
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：托盘

更新日期：2024-04-01 00:04:00

BLF6G22LS-75,112

NXP Semiconductors RF FET

产品简介：TRANS BASESTATION 2-LDMOST

  • 封装：SOT-502B
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：托盘

BLF6G22LS-75,112 供应商

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BLF6G22LS-75,112 中文资料属性参数

  • 标准包装：20
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF FET
  • 系列：-
  • 晶体管类型：LDMOS
  • 频率：2.11GHz ~ 2.17GHz
  • 增益：18.7dB
  • 电压 - 测试：28V
  • 额定电流：18A
  • 噪音数据：-
  • 电流 - 测试：690mA
  • 功率 - 输出：17W
  • 电压 - 额定：65V
  • 封装/外壳：SOT-502B
  • 供应商设备封装：LDMOST
  • 包装：托盘
  • 其它名称：568-8650934061559112BLF6G22LS-75BLF6G22LS-75,112-NDBLF6G22LS-75-ND

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