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BLF6G10-160RN,112

NXP Semiconductors RF FET
  • 封装:SOT-502A
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:托盘

更新日期:2024-04-01 00:04:00

BLF6G10-160RN,112

NXP Semiconductors RF FET

产品简介:TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502A

  • 封装:SOT-502A
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:托盘

BLF6G10-160RN,112 中文资料属性参数

  • 标准包装:20
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:RF FET
  • 系列:-
  • 晶体管类型:LDMOS
  • 频率:922.5MHz ~ 957.5MHz
  • 增益:22.5dB
  • 电压 - 测试:32V
  • 额定电流:39A
  • 噪音数据:-
  • 电流 - 测试:1.2A
  • 功率 - 输出:32W
  • 电压 - 额定:65V
  • 封装/外壳:SOT-502A
  • 供应商设备封装:LDMOST
  • 包装:托盘
  • 其它名称:568-8635934063281112BLF6G10-160RN,112-ND

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9