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BFT25A,215

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

BFT25A,215

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)

产品简介：TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

BFT25A,215 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：5V
  • 频率 - 转换：5GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
  • 增益：-
  • 功率 - 最大：32mW
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：50 @ 500µA，1V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：6.5mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：TO-236AB
  • 包装：带卷 (TR)

BFT25A,215 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BFT25A,215

TRANS NPN 5V 5GHZ SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:5V; Power Dissipation Pd:32mW; DC Collector Current:6.5mA; DC Current Gain hFE:80; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Ic Continuous a Max:500μA; Gain Bandwidth ft Typ:5GHz; Hfe Min:50; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:32mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:RF Wideband

14页,94K 查看
BFT25A,215

RF Transistor NPN 5V 6.5mA 5GHz 32mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)

 15页,140K 查看

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