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BFM520,115

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)
  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

BFM520,115

NXP Semiconductors RF 晶体管 (BJT)

产品简介：TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363

  • 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

BFM520,115 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF 晶体管 (BJT)
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 NPN（双）
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：8V
  • 频率 - 转换：9GHz
  • 噪声系数（dB典型值@频率）：1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
  • 增益：-
  • 功率 - 最大：1W
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：60 @ 20mA，6V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：70mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：6-TSSOP
  • 包装：带卷 (TR)

BFM520,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BFM520,115

TRANS NPN DUAL 70MA 8V SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:8V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:70mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-65°C to +175°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Current Ic Continuous a Max:20mA; Gain Bandwidth ft Typ:9GHz; Hfe Min:60; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:1W; Termination Type:SMD; Transistor Type:RF Wideband

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