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BC857CW-7-F
晶体管(BJT) - 单路- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.01729-$0.03315
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BC857CW-7-F
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS PNP BIPOLAR 45V SC70-3
- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.01729-$0.03315
BC857CW-7-F 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：45V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：420 @ 2mA，5V
- 功率 - 最大：200mW
- 频率 - 转换：200MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SOT-323
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BC857CW-FDITR
BC857CW-7-F 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 BC857CW-7-F
|
TRANSISTOR,PNP,45V,0.1A,SC70-3; Transistor Polarity:P Channel; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:520; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010) |
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