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APTM50H14FT3G
FET- 封装：SP3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$53.766-$73.93
更新日期：2024-04-01 00:04:00
APTM50H14FT3G
FET产品简介：MOSFET MOD FULL BRIDGE 500V SP3
- 封装：SP3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$53.766-$73.93
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APTM50H14FT3G 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：-
- FET 型：4 N 通道（半桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：26A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：168 毫欧 @ 13A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3259pF @ 25V
- 功率 - 最大：208W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP3
- 供应商设备封装：SP3
- 包装：散装
APTM50H14FT3G 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 APTM50H14FT3G
|
MOSFET 4N-CH 500V 26A SP3 |
7页,523K | 查看 |
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