搜索
发布采购
APTM50DHM35G
FET- 封装：SP6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$171.168
更新日期：2024-04-01 00:04:00
APTM50DHM35G
FET产品简介：MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
- 封装：SP6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$171.168
APTM50DHM35G 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：-
- FET 型：2 N 沟道（非对称桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：99A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：39 毫欧 @ 49.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 5mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：280nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：14000pF @ 25V
- 功率 - 最大：781W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP6
- 供应商设备封装：SP6
- 包装：散装
APTM50DHM35G 相关产品
- APL501J
- APT100F50J
- APT100M50J
- APT10M07JVFR
- APT17F120J
- APT19F100J
- APT20M11JLL
- APT21M100J
- APT22F100J
- APT30M60J
- APT31N80JC3
- APT32F120J
- APT32M80J
- APT34M120J
- APT38M50J
- APT40M35JVFR
- APT41F100J
- APT47F60J
- APT47M60J
- APT51M50J
- APT53F80J
- APT58F50J
- APT58M80J
- APT60M75JVFR
- APT80F60J
- APTC60AM45BC1G
- IXFE24N100
- IXFN100N50P
- IXFN100N50Q3
- IXFN102N30P