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APTM100UM45DAG
FET- 封装：SP6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$291.67128-$352.44
更新日期：2024-04-01 00:04:00
APTM100UM45DAG
FET产品简介：MOSFET PWR MOD 1000V 215A SP6
- 封装：SP6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$291.67128-$352.44
APTM100UM45DAG 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：POWER MOS 7®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：215A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：52 毫欧 @ 107.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 30mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1602nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：42700pF @ 25V
- 功率 - 最大：5000W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP6
- 供应商设备封装：SP6
- 包装：散装
APTM100UM45DAG 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 APTM100UM45DAG
|
MOSFET N-CH 1000V 215A SP6 |
7页,538K | 查看 |
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