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APTM100A12STG
FET- 封装：SP3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
更新日期：2024-04-01
APTM100A12STG
FET产品简介：MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W
- 封装：SP3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
APTM100A12STG 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：-
- FET 型：2 N 沟道（半桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：68A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：120 毫欧 @ 34A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 10mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：616nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：17400pF @ 25V
- 功率 - 最大：1250W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP3
- 供应商设备封装：SP3
- 包装：散装
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