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APTC60HM83FT2G
FET- 封装：*
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：*
- 参考价格：$50.78724-$69.83
更新日期：2024-04-01 00:04:00
APTC60HM83FT2G
FET产品简介：MOSFET N CH 600V 36A
- 封装：*
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：*
- 参考价格：$50.78724-$69.83
APTC60HM83FT2G 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：CoolMOS™
- FET 型：2 N 沟道（半桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：36A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：83 毫欧 @ 18A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 3mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：255nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：7290pF @ 25V
- 功率 - 最大：250W
- 安装类型：*
- 封装/外壳：*
- 供应商设备封装：*
- 包装：*
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