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APTC60HM45T1G
FET- 封装：SP1
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$77.25
更新日期：2024-04-01
APTC60HM45T1G
FET产品简介：MOSFET PWR MOD FULL BRIDGE SP1
- 封装：SP1
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$77.25
APTC60HM45T1G 供应商
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APTC60HM45T1G 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：半导体模块
- 家庭：FET
- 系列：-
- FET 型：4 N 通道（半桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：49A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫欧 @ 24.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.9V @ 3mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：7200pF @ 25V
- 功率 - 最大：250W
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：SP1
- 供应商设备封装：SP1
- 包装：散装
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