50MT060WH
IGBT- 封装:12-MTP
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
更新日期:2024-04-01 00:04:00

50MT060WH 供应商
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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50MT060WH 中文资料属性参数
- 标准包装:15
- 类别:半导体模块
- 家庭:IGBT
- 系列:-
- IGBT 类型:PT
- 配置:半桥
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):3.2V @ 15V,100A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):114A
- 电流 - 集电极截止(最大):400µA
- Vce 时的输入电容 (Cies):7.1nF @ 30V
- 功率 - 最大:658W
- 输入:标准型
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:12-MTP
- 供应商设备封装:12-MTP
- 其它名称:*50MT060WHVS-50MT060WHVS-50MT060WH-NDVS50MT060WHVS50MT060WH-ND
50MT060WH 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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