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3LN04CH-TL-E
MOSFET - 单更新日期：2024-04-01 00:04:00
3LN04CH-TL-E
MOSFET - 单3LN04CH-TL-E 中文资料属性参数
- 电压, Vds 最大:：30V
- 在电阻RDS（上）:：750mohm
- 电压 @ Rds测量:：4V
- 功耗, Pd:：600mW
- 封装类型:：SOT-346
- 针脚数:：3
- 功耗:：600mW
- 漏极电流, Id 最大值:：350mA
- 电压, Vgs 最高:：10V
更新日期：2024-04-01 00:04:00
