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更新日期:2024-04-01

2SJ612-TD-E

MOSFET - 单

2SJ612-TD-E 供应商

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2SJ612-TD-E 中文资料属性参数

  • 晶体管极性::P通道
  • 电压, Vds 最大::-20V
  • 在电阻RDS(上)::190mohm
  • 电压 @ Rds测量::-4V
  • 功耗, Pd::3.5W
  • 封装类型::SOT-89
  • 针脚数::3
  • 功耗::3.5W
  • 漏极电流, Id 最大值::-2.5A
  • 电压, Vgs 最高::10V

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