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3LN02C-TB-E
MOSFET - 单更新日期：2024-04-01
3LN02C-TB-E
MOSFET - 单3LN02C-TB-E 供应商
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SOT23
1818+ -
4300
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
3LN02C-TB-E 中文资料属性参数
- 晶体管极性:：?频道
- 电流, Id 连续:：300mA
- 电压, Vds 最大:：30V
- 在电阻RDS（上）:：1.2ohm
- 电压 @ Rds测量:：4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：1.3V
- 功耗, Pd:：250mW
- 封装类型:：SOT-89
- 功耗:：250mW
- 封装类型:：CP
- 漏极电流, Id 最大值:：300mA
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：4V
- 电压, Vds 典型值:：30V
- 电压, Vgs 最高:：10V
- 表面安装器件:：表面安装