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更新日期:2024-04-01 00:04:00

2SK3680-01

MOSFET - 单

2SK3680-01 中文资料属性参数

  • 晶体管极性::?频道
  • 电流, Id ??续::52A
  • 电压, Vds 最大::500V
  • 在电阻RDS(上)::110mohm
  • 电压 @ Rds测量::10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值::5V
  • 功耗, Pd::600W
  • 封装类型::TO-247
  • 针脚数::3
  • 功率, Pd::600W
  • 功耗::600W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas::802.7mJ
  • 封装类型::TO-247
  • 封装类型, 替代::SOT-249
  • 引脚节距::5.45mm
  • 总功率, Ptot::600W
  • 温度 @ 电流测量::25°C
  • 满功率温度::25°C
  • 漏极电流, Id 最大值::52A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量::10V
  • 电压, Vds 典型值::500V
  • 电压, Vgs 最高::30V
  • 电流, Idm 脉冲::208A
  • 结温, Tj 最高::150°C
  • 表面???装器件::通孔安装
  • 重复雪崩电流, Iar::26A
  • 阈值电压, Vgs th 最低::3V
  • 阈值电压, Vgs th 最高::5V

2SK3680-01 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
2SK3680-01

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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