2SK3680-01
MOSFET - 单更新日期:2024-04-01 00:04:00
2SK3680-01
MOSFET - 单2SK3680-01 中文资料属性参数
- 晶体管极性::?频道
- 电流, Id ??续::52A
- 电压, Vds 最大::500V
- 在电阻RDS(上)::110mohm
- 电压 @ Rds测量::10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值::5V
- 功耗, Pd::600W
- 封装类型::TO-247
- 针脚数::3
- 功率, Pd::600W
- 功耗::600W
- 单脉冲雪崩能量 Eas::802.7mJ
- 封装类型::TO-247
- 封装类型, 替代::SOT-249
- 引脚节距::5.45mm
- 总功率, Ptot::600W
- 温度 @ 电流测量::25°C
- 满功率温度::25°C
- 漏极电流, Id 最大值::52A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量::10V
- 电压, Vds 典型值::500V
- 电压, Vgs 最高::30V
- 电流, Idm 脉冲::208A
- 结温, Tj 最高::150°C
- 表面???装器件::通孔安装
- 重复雪崩电流, Iar::26A
- 阈值电压, Vgs th 最低::3V
- 阈值电压, Vgs th 最高::5V
2SK3680-01 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
2SK3680-01
|
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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