2SK3614-TD-E
MOSFET - 单更新日期:2024-04-01 00:04:00
2SK3614-TD-E
MOSFET - 单2SK3614-TD-E 供应商
- 公司
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- 封装/批号
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- 说明
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onsemi
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SIL3
21+ -
1000
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上海市
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一级代理原装
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SANYO/ELNAF
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SOT89
1912+ -
18690
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
2SK3614-TD-E 中文资料属性参数
- 晶体管极性::?频道
- 电流, Id 连续::4A
- 电压, Vds 最大::60V
- 在电阻RDS(上)::145mohm
- 电压 @ Rds测量::10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值::2.6V
- 功耗, Pd::3.5W
- 封装类型::PCP
- 针脚数::3
- 功耗::3.5W
- 封装类型::PCP
- 漏极电流, Id 最大值::4A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量::10V
- 电压, Vds 典型值::60V
- 电压, Vgs 最高::20V
- 表面安装器件::表面安装

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