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2SK2012
MOSFET - 单更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SK2012
MOSFET - 单2SK2012 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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isc/固电半导体
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TO-220F
2024+ -
8000
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无锡
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国产品牌isc，33年国产工厂
2SK2012 中文资料属性参数
- 电压, Vds 最大:：250V
- 在电阻RDS（上）:：120mohm
- 电压 @ Rds测量:：10V
- 功耗, Pd:：40W
- 封装类型:：TO-220ML
- 针脚数:：3
- 功耗:：40W
- 漏极电流, Id 最大值:：18A
- 电压, Vgs 最高:：30V