2SJ635-TL-E
MOSFET - 单更新日期:2024-04-01
2SJ635-TL-E
MOSFET - 单2SJ635-TL-E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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onsemi
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TO-252-3
21+ -
2780
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上海市
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一级代理原装
2SJ635-TL-E 中文资料属性参数
- 晶体管极性::P通道
- 电压, Vds 最大::-60V
- 在电阻RDS(上)::45mohm
- 电压 @ Rds测量::-10V
- 功耗, Pd::30W
- 封装类型::TO-251
- 针脚数::3
- 功耗::30W
- 漏极电流, Id 最大值::-12A
- 电压, Vgs 最高::20V