搜索
发布采购
2SJ630-TD-E
MOSFET - 单更新日期：2024-04-01
2SJ630-TD-E
MOSFET - 单2SJ630-TD-E 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Sanyo
-
-
21+ -
289
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
2SJ630-TD-E 中文资料属性参数
- 晶体管极性:：P通道
- 电流, Id 连续:：6A
- 电压, Vds 最大:：-12V
- 在电阻RDS（上）:：58mohm
- 电压 @ Rds测量:：-4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：1V
- 功耗, Pd:：3.5W
- 工作温度范围:：-55°C 到 +150°C
- 封装类型:：SOT-89
- 针脚数:：3
- 功耗:：3.5W
- 封装类型:：SOT-89
- 晶体管类型:：开关
- 漏极电流, Id 最大值:：-6A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：4.5V
- 电压, Vds 典型值:：12V
- 电压, Vgs 最高:：8V
- 表面安装器件:：表面安装