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2SJ613-TD-E
MOSFET - 单更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SJ613-TD-E
MOSFET - 单2SJ613-TD-E 中文资料属性参数
- 晶体管极性:：P通道
- 电流, Id 连续:：6A
- 电压, Vds 最大:：-20V
- 在电阻RDS（上）:：69mohm
- 电压 @ Rds测量:：-4V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：1.3V
- 功耗, Pd:：3.5W
- 工作温度范围:：-55°C 到 +150°C
- 封装类型:：SOT-89
- 针脚数:：3
- 功耗:：3.5W
- 封装类型:：SOT-89
- 晶体管类型:：开关
- 漏极电流, Id 最大值:：-6A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：4V
- 电压, Vds 典型值:：20V
- 电压, Vgs 最高:：10V
- 表面安装器件:：表面安装