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2SJ538
MOSFET - 单更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SJ538
MOSFET - 单2SJ538 中文资料属性参数
- 晶体管极性:：P通道
- 电流, Id 连续:：15A
- 电压, Vds 最大:：30V
- 在电阻RDS（上）:：24mohm
- 电压 @ Rds测量:：-10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：-2.5V
- 功耗, Pd:：30W
- 封装类型:：I-PAK
- 功率, Pd:：30W
- 功耗:：30W
- 封装类型:：IPAK
- 封装类型, 替代:：I-PAK
- 漏极电流, Id 最大值:：-15A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：-10V
- 电压, Vds 典型值:：-30V
- 电压, Vgs 最高:：-20V
- 电流, Idm 脉冲:：45A
- 表面安装器件:：通孔安装