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2SJ218-E
MOSFET - 单更新日期：2024-04-01
2SJ218-E
MOSFET - 单2SJ218-E 中文资料属性参数
- 晶体管极性:：P通道
- 电流, Id 连续:：45A
- 电压, Vds 最大:：60V
- 在电阻RDS（上）:：60mohm
- 电压 @ Rds测量:：-10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:：-2V
- 功耗, Pd:：60W
- 工作温度范围:：-55°C 到 +150°C
- 封装类型:：TO-3PFM
- 针脚数:：3
- SVHC(高度关注物质):：No SVHC (18-Jun-2012)
- 功率, Pd:：60W
- 功耗:：60W
- 封装类型:：TO-3PFM
- 引脚节距:：5.45mm
- 晶体管数:：1
- 温度 @ 电流测量:：25°C
- 满功率温度:：25°C
- 漏极电流, Id 最大值:：-45A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:：-10V
- 电压, Vds 典型值:：-60V
- 电压, Vgs 最高:：-20V
- 电流, Idm 脉冲:：180A
- 表面安装器件:：通孔安装
- 隔离电压:：4kV