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2SC563200L
RF 晶体管 (BJT)- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.098-$0.111
更新日期：2024-04-01 00:04:00
2SC563200L
RF 晶体管 (BJT)产品简介：TRANS NPN 8VCEO 50MA S-MINI 3P
- 封装：SC-70，SOT-323
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.098-$0.111
2SC563200L 中文资料属性参数
- 数据列表：2SC563200L View all Specifications
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF 晶体管 (BJT)
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：8V
- 频率 - 转换：1.1GHz
- 噪声系数（dB典型值@频率）：-
- 增益：-
- 功率 - 最大：150mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 2mA，4V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：50mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：S迷你型3-G1
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：2SC563200LTR
2SC563200L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2SC563200L
|
RF Transistor NPN 8V 50mA 1.1GHz 150mW Surface Mount SMini3-G1 |
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