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2N7369
单双极晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
2N7369
单双极晶体管产品简介：POWER BJT
2N7369 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：100 : ￥2,582.92330散装
- 系列：-
- 包装：散装
- 产品状态：在售
- 晶体管类型：PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10 A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：80 V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：1V @ 500mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：5mA
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 1A，2V
- 功率 - 最大值：115 W
- 频率 - 跃迁：-
- 工作温度：-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-254-3，TO-254AA
- 供应商器件封装：TO-254AA
2N7369 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 2N7369JAN
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PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
2 Pages页,56K | 查看 |
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2N7369JANTX
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PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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2N7369JANTXV
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PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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