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19MT050XF

FET
  • 封装：16-MTP
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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19MT050XF

FET

产品简介：HEX/MOS N-CHAN 500V 31A MTP

  • 封装：16-MTP
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：散装

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19MT050XF 中文资料属性参数

  • 标准包装：15
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：4 N 通道（半桥）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：31A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：220 毫欧 @ 19A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：6V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：160nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7210pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1140W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：16-MTP
  • 供应商设备封装：16-MTP
  • 包装：散装
  • 其它名称：*19MT050XF

19MT050XF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
19MT050XF

FULL BRIDGE FREDFET MTP HEXFET POWER MOSFET

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