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IXFN36N100

IXYS FET
  • 封装：SOT-227-4，miniBLOC
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$34.932-$53.85

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IXFN36N100

IXYS FET

产品简介：MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

  • 封装：SOT-227-4，miniBLOC
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$34.932-$53.85

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IXFN36N100 中文资料属性参数

  • 标准包装：10
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：HiPerFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：36A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：240 毫欧 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：380nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：9200pF @ 25V
  • 功率 - 最大：700W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装：SOT-227B
  • 包装：管件

IXFN36N100 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IXFN36N100

HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

 4 Pages页,123K 查看
IXFN36N100

MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

 4页,133K 查看

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