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IRLML6402

International Rectifier MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB5.60-RMB9.65

更新日期：2024-04-01

IRLML6402

International Rectifier MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB5.60-RMB9.65

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IRLML6402 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：588 ns
  • 典型接通延迟时间：350 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：8 nC V @ -5
  • 典型输入电容值@Vds：633 pF V @ -10
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.4mm
  • 封装类型：SOT-23
  • 尺寸：3.04 x 1.4 x 1.02mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：1.3 W
  • 最大栅源电压：±12 V
  • 最大漏源电压：-20 V
  • 最大漏源电阻值：0.135
  • 最大连续漏极电流：-3.7 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：P
  • 配置：单
  • 长度：3.04mm
  • 高度：1.02mm

IRLML6402 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRLML6402

HEXFET Power MOSFET

 8 Pages页,82K 查看
IRLML6402

HEXFET Power MOSFET

 9 Pages页,82K 查看
IRLML6402TRPBF

MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Avalanche Single Pulse Energy Eas:11mJ; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0μA; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; No. of Pins:3; P Channel Gate Charge:12nC; Power Dissipation:1.3W; Power, Pd:1.3W; Quantity, Reel:3000; SMD Marking:1E; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°...

8页,131K 查看

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