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IRLML6402 的相关信息

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  • 典型关断延迟时间：588 ns
  • 典型接通延迟时间：350 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：8 nC V @ -5
  • 典型输入电容值@Vds：633 pF V @ -10
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.4mm
  • 封装类型：SOT-23
  • 尺寸：3.04 x 1.4 x 1.02mm
  • 引脚数目：3
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：1.3 W
  • 最大栅源电压：±12 V
  • 最大漏源电压：-20 V
  • 最大漏源电阻值：0.135
  • 最大连续漏极电流：-3.7 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：P
IRLML6402 (PDF下载)
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