GA200SA60U
IGBT- 封装:SOT-227-4,miniBLOC
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
更新日期:2024-04-01 00:04:00
GA200SA60U
IGBT产品简介:IGBT UFAST 600V 100A SOT227
- 封装:SOT-227-4,miniBLOC
- RoHS:含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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GA200SA60U 中文资料属性参数
- 标准包装:10
- 类别:半导体模块
- 家庭:IGBT
- 系列:-
- IGBT 类型:-
- 配置:单一
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):1.9V @ 15V,100A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A
- 电流 - 集电极截止(最大):1mA
- Vce 时的输入电容 (Cies):16.5nF @ 30V
- 功率 - 最大:500W
- 输入:标准型
- NTC 热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商设备封装:SOT-227B
- 其它名称:*GA200SA60UVS-GA200SA60UVS-GA200SA60U-NDVSGA200SA60UVSGA200SA60U-ND
GA200SA60U 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
GA200SA60U
|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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