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GA200SA60S

IGBT
  • 封装：SOT-227-4，miniBLOC
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

更新日期：2024-04-01 00:04:00

GA200SA60S

IGBT

产品简介：IGBT STD 600V 100A SOT227

  • 封装：SOT-227-4，miniBLOC
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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GA200SA60S 中文资料属性参数

  • 标准包装：10
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：IGBT
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 配置：单一
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：1.3V @ 15V，100A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
  • Vce 时的输入电容 (Cies)：16.25nF @ 30V
  • 功率 - 最大：630W
  • 输入：标准型
  • NTC 热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装：SOT-227B
  • 其它名称：*GA200SA60SVS-GA200SA60SVS-GA200SA60S-NDVSGA200SA60SVSGA200SA60S-ND

GA200SA60S 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
GA200SA60S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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