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ZXT13N50DE6TC
晶体管(BJT) - 单路- 封装：SOT-23-6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
ZXT13N50DE6TC
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANSISTOR NPN 50V SOT23-6
- 封装：SOT-23-6
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZXT13N50DE6TC 中文资料属性参数
- 标准包装：10,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：180mV @ 400mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：300 @ 1A，2V
- 功率 - 最大：1.1W
- 频率 - 转换：115MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-23-6
- 供应商设备封装：SOT-23-6
- 包装：带卷 (TR)
ZXT13N50DE6TC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXT13N50DE6TC
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50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR |
6 Pages页,420K | 查看 |