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ZXT11N20DFTC
晶体管(BJT) - 单路- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
ZXT11N20DFTC
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANSISTOR NPN 20V SOT23-3
- 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZXT11N20DFTC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
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SOT-23-3
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXT11N20DFTC 中文资料属性参数
- 标准包装：10,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：2.5A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：20V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：130mV @ 250mA，2.5A
- 电流 - 集电极截止（最大）：100nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：300 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大：625mW
- 频率 - 转换：160MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
ZXT11N20DFTC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXT11N20DFTC
|
20V NPN SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR |
6 Pages页,408K | 查看 |