搜索
发布采购
ZXMD65P03N8TC
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
ZXMD65P03N8TC
MOSFET产品简介：MOSFET Dual 30V P Chl HDMOS
ZXMD65P03N8TC 中文资料属性参数
- 制造商：Diodes Inc.
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：20 V
- 漏极连续电流：4.8 A
- 配置：Dual Dual Drain
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOIC-8
- 封装：Reel
- 下降时间：6.4 ns
- 功率耗散：2000 mW
- 上升时间：6.4 ns
- 典型关闭延迟时间：49.5 ns
ZXMD65P03N8TC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMD65P03N8TC
|
DUAL 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
4 Pages页,66K | 查看 |
ZXMD65P03N8TC 相关产品
- 1.5KE100A-E3/54
- 1.5KE16CA-E3/54
- 1.5KE18A-E3/54
- 1.5KE18CA-E3/54
- 1.5KE200A-E3/54
- 1.5KE220CA-E3/54
- 1.5KE24ARL4
- 1.5KE27A-E3/54
- 1.5KE30A-E3/54
- 1.5KE30CA-E3/54
- 1.5KE36CA-E3/54
- 1.5KE43A-E3/54
- 1.5KE440CA-E3/54
- 1.5KE6.8C-E3/54
- 1.5KE62A-E3/54
- 1.5SMC100A-E3/57T
- 1.5SMC200A-E3/57T
- 1.5SMC200CA-E3/57T
- 1.5SMC27CAHE3/57T
- 1.5SMC39A-E3/57T
- 1.5SMC400A-E3/57T
- 1.5SMC440A-E3/57T
- 1.5SMC540A-E3/57T
- 10A10
- 10ETS10S
- 111RKI120
- 111RKI40
- 111RKI80
- 123NQ080R
- 129NQ135R