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ZXM66P03N8TC

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V P Chnl HDMOS
  • 参考价格：￥5.30-￥7.04

更新日期：2024-04-01

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ZXM66P03N8TC

MOSFET

产品简介：MOSFET 30V P Chnl HDMOS

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 30V P Chnl HDMOS
  • 参考价格：￥5.30-￥7.04

ZXM66P03N8TC 供应商

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ZXM66P03N8TC 中文资料属性参数

  • 制造商：Diodes Inc.
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 30 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：- 7.9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
  • 配置：Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SO-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：16.3 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.56 W
  • 上升时间：16.3 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：94.6 ns

ZXM66P03N8TC 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
ZXM66P03N8TC

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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