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ZXM62N03E6TC
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
ZXM62N03E6TC
MOSFET产品简介：MOSFET 30V N Chnl HDMOS
ZXM62N03E6TC 中文资料属性参数
- 制造商：Diodes Inc.
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：20 V
- 漏极连续电流：3.2 A
- 配置：Single Quad Drain
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SOT-23-6
- 封装：Reel
- 下降时间：5.6 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：1700 mW
- 上升时间：5.6 ns
- 典型关闭延迟时间：11.7 ns
ZXM62N03E6TC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXM62N03E6TC
|
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
7 Pages页,188K | 查看 |
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