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ZXM62N02E6TA

DIODES MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V N-Chnl HDMOS
  • 参考价格：￥1.94-￥2.62

更新日期：2025-03-03

ZXM62N02E6TA

DIODES MOSFET

产品简介：MOSFET 20V N-Chnl HDMOS

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 20V N-Chnl HDMOS
  • 参考价格：￥1.94-￥2.62

ZXM62N02E6TA 供应商

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ZXM62N02E6TA 中文资料属性参数

  • 制造商：Diodes Inc.
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 12 V
  • 漏极连续电流：3.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.125 Ohms
  • 配置：Single
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-23-6
  • 封装：Reel
  • 下降时间：10.4 ns
  • 功率耗散：1.1 W
  • 上升时间：10.4 ns
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：16.9 ns

ZXM62N02E6TA 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
ZXM62N02E6TA

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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