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ZX3CD1S1M832TA
晶体管(BJT) - 单路- 封装：8-MLP
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
ZX3CD1S1M832TA
晶体管(BJT) - 单路产品简介：TRANS/SCHOTTKY PNP DL 3X2MM 8MLP
- 封装：8-MLP
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZX3CD1S1M832TA 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：PNP + 二极管（隔离式）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：4A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 150mA，4A
- 电流 - 集电极截止（最大）：25nA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：180 @ 2.5A，2V
- 功率 - 最大：3W
- 频率 - 转换：110MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-MLP
- 供应商设备封装：8-MLP/DFN（3x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZX3CD1S1M832TATR
ZX3CD1S1M832TA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZX3CD1S1M832TA
|
12V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR AND 40V, 1A SCHOTTKY DIODE COMBINATION DUAL |
10 Pages页,356K | 查看 |