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ZVNL120G

MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB4.35-RMB5.70

更新日期：2025-03-03

ZVNL120G

MOSFET 晶体管
  • 参考价格：RMB4.35-RMB5.70

ZVNL120G 供应商

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ZVNL120G 中文资料属性参数

  • 典型关断延迟时间：20 ns
  • 典型接通延迟时间：8 ns
  • 典型输入电容值@Vds：85 pF V @ 25
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：3.7mm
  • 封装类型：SOT-223
  • 尺寸：6.7 x 3.7 x 1.65mm
  • 引脚数目：4
  • 最低工作温度：-55 °C
  • 最大功率耗散：2 W
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：200 V
  • 最大漏源电阻值：10
  • 最大连续漏极电流：0.32 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：功率 MOSFET
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：双漏极、单
  • 长度：6.7mm
  • 高度：1.65mm

ZVNL120G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
ZVNL120G

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD VERTICAL DMOS FET

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