WNSC2D20650CJQ
二极管阵列更新日期:2024-04-01 00:04:00
WNSC2D20650CJQ
二极管阵列产品简介:DUAL SILICON CARBIDE SCHOTTKY DI
WNSC2D20650CJQ 中文资料属性参数
- 现有数量:2,400现货
- 价格:480 : ¥27.18552卷带(TR)
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)
- 产品状态:在售
- 二极管配置:1 对共阴极
- 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):20A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 10 A
- 速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 μA @ 650 V
- 工作温度 - 结:175°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3PF

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